半导体激光器装置
文献类型：专利
| 作者 | 西田武弘; 山口勉; 宫下宗治 |
| 发表日期 | 2008-12-24 |
| 专利号 | CN100446361C |
| 著作权人 | 三菱电机株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半导体激光器装置 |
| 英文摘要 | 具有多个发光点的半导体激光器装置中，施加到发光点处的应力根据从芯片中心到发光点的距离而变化，随着从芯片中心远离而变大，但是，因为各发光点的间隔因所使用的波段而存在限制，所以，不能将所有的发光点都配置在芯片的中心附近。本发明的半导体激光器装置是具有二个以上发光点的半导体激光器装置，每个所述发光点都具有脊型条纹结构，将所述二个以上的发光点中的至少一个发光点配置在从衬底的宽度方向的中心离开所述衬底宽度的0%以上15%以下的位置上。 |
| 公开日期 | 2008-12-24 |
| 申请日期 | 2006-04-07 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75282]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱电机株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 西田武弘,山口勉,宫下宗治. 半导体激光器装置. CN100446361C. 2008-12-24. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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