半导体激光元件及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 山口勤; 畑雅幸; 狩野隆司; 庄野昌幸; 大保广树; 野村康彦; 伊豆博昭 |
| 发表日期 | 2006-10-04 |
| 专利号 | CN1841864A |
| 著作权人 | 三洋电机株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光元件及其制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种在能够减小阈值电流的同时还能够提高发光效率的半导体激光元件及其制造方法。该半导体激光元件包括：具有主表面的半导体基板；以及形成在半导体基板的主表面上，并具有相对于半导体基板的主表面实质上倾斜的主表面，同时，包括发光层的半导体元件层。 |
| 公开日期 | 2006-10-04 |
| 申请日期 | 2006-03-31 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75290]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋电机株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山口勤,畑雅幸,狩野隆司,等. 半导体激光元件及其制造方法. CN1841864A. 2006-10-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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