半导体激光元件
文献类型：专利
| 作者 | 野间亚树; 阿久津稔; 西冈义人 |
| 发表日期 | 2012-07-04 |
| 专利号 | CN102545057A |
| 著作权人 | 罗姆股份有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光元件 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种适于高输出化的半导体激光元件。半导体激光二极管(70)包括：基板(1)；及半导体叠层结构体(2)，其通过结晶成长而形成在基板(1)上。半导体叠层结构体(2)包括：n型(Alx1Ga(1-x1))0.51In0.49P包覆层14及p型(AIx1Ga(1-x1))0.51In0.49P包覆层(17)；n侧Alx2Ga(1-x2)As导引层(15)及(p)侧Alx2Ga(1-x2)As导引层(16)，其等夹在这些包覆层(14)、(17)之间；以及活性层(10)，其夹在这些导引层(15)、(16)之间。活性层(10)由包含AlyGa(1-y)As(1-x3)Px3层的量子井层(221)与包含Alx4Ga(1-x4)As层的阻障层(222)交替重复叠层复数个周期而构成。 |
| 公开日期 | 2012-07-04 |
| 申请日期 | 2011-12-09 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75293]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 罗姆股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 野间亚树,阿久津稔,西冈义人. 半导体激光元件. CN102545057A. 2012-07-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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