半导体激光器件
文献类型：专利
| 作者 | 方瑞雨; 盖德·艾伯特·罗格若; 朱莉安娜·莫若罗; 罗伯拓·帕沃勒特; 迈克勒·埃戈斯特 |
| 发表日期 | 2012-08-08 |
| 专利号 | CN102629733A |
| 著作权人 | 安华高科技光纤IP(新加坡)私人有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光器件 |
| 英文摘要 | 本发明涉及其中边发射激光器与反射器集成以形成面发射半导体激光器件的半导体激光器件。该面发射半导体激光器件被设置包括形成在布置于半导体衬底上的各层半导体材料中的边发射激光器、被布置在衬底上与其中形成有边发射激光器的层横向相邻的聚合物材料、以及形成在聚合物材料的大致面对激光器的出射端面的斜侧面中或上的反射器。离开出射端面的激光在被反射器沿与衬底的上表面大致垂直的方向反射离开器件之前传播通过聚合物材料。 |
| 公开日期 | 2012-08-08 |
| 申请日期 | 2012-02-01 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75295]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 安华高科技光纤IP(新加坡)私人有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 方瑞雨,盖德·艾伯特·罗格若,朱莉安娜·莫若罗,等. 半导体激光器件. CN102629733A. 2012-08-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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