半导体激光器及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 笹冈千秋 |
| 发表日期 | 2011-11-09 |
| 专利号 | CN102237634A |
| 著作权人 | 瑞萨电子株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光器及其制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供了一种半导体激光器及其制造方法，其包括：半导体衬底；和谐振器，其形成在半导体衬底上方并且包含氮化物半导体层。施加在谐振器端面附近区域上的应变小于施加在端面附近区域之间的区域上的应变。 |
| 公开日期 | 2011-11-09 |
| 申请日期 | 2011-04-22 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75362]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 瑞萨电子株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 笹冈千秋. 半导体激光器及其制造方法. CN102237634A. 2011-11-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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