半导体激光器热沉
文献类型：专利
| 作者 | 王大拯; 冯晓明; 王俊; 吕卉; 李伟; 刘媛媛; 刘素平; 马骁宇 |
| 发表日期 | 2008-08-13 |
| 专利号 | CN101242079A |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光器热沉 |
| 英文摘要 | 一种半导体激光器热沉，其特征在于，包括：一底座，该底座为矩形，该底座的下面有一凹槽；一主体，该主体的两侧纵向分别有一凹缺；该主体的两侧横向分别有一凹部；该主体上部有半圆形缺口，该半圆形缺口用于排列半导体激光器的bar条；该主体两侧的凹部的两端处有两个对称的圆孔，该对称的圆孔用于通水；该主体和底座的连接处有中心繁衍对称的两个缺口，该对称的两个缺口用于和其他部件固定，以便引出电极。 |
| 公开日期 | 2008-08-13 |
| 申请日期 | 2007-02-07 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75380]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王大拯,冯晓明,王俊,等. 半导体激光器热沉. CN101242079A. 2008-08-13. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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