半导体装置
文献类型：专利
| 作者 | 深谷一夫 |
| 发表日期 | 2017-03-08 |
| 专利号 | CN106486888A |
| 著作权人 | 瑞萨电子株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体装置 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种能够提高半导体激光器的特性的半导体装置。在p型包覆层与p型导光层之间配置有电流阻挡层，且具有该电流阻挡层之间的区域即电流狭窄区域(CC)的半导体激光器如下构成。构成为，在从入射侧(HR侧)到出射侧(AR侧)之间依次配置有大宽度部(WP)、锥部(TP)、小宽度部(NP)、锥部(TP)以及大宽度部(WP)的电流狭窄区域(CC)的、大宽度部(WP)的上方，减小绝缘层的开口部(OA)的宽度(Wie)，利用绝缘层(IL)覆盖大宽度部(WP)的两端。根据该结构，能够抑制大宽度部(WP)的超发光的产生，由此，能够谋求光束品质的提高和光束的高输出化。 |
| 公开日期 | 2017-03-08 |
| 申请日期 | 2016-08-24 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75417]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 瑞萨电子株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 深谷一夫. 半导体装置. CN106486888A. 2017-03-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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