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半导体激光元件

文献类型:专利

作者藤本毅; 山田由美; 山形友二; 齐藤刚; 片平学
发表日期2011-09-28
专利号CN102204040A
著作权人奥普拓能量株式会社
国家中国
文献子类发明申请
其他题名半导体激光元件
英文摘要一种半导体激光元件(1),具备:活性层(11);n型载流子阻断层(13),与活性层(11)邻接地设置,并且具有大于等于阻挡层(11b)的禁带宽度的禁带宽度;n型导波层(14),相对于n型载流子阻断层(13),在与活性层(11)相反侧,与n型载流子阻断层(13)邻接地设置;n型金属包层(15),相对于n型导波层(14),在与活性层(11)相反侧,与n型导波层(14)邻接地设置,并且具有比n型导波层(14)的禁带宽度大的禁带宽度;p型金属包层(12),相对于活性层(11),在与n型载流子阻断层(13)相反侧,与活性层(11)邻接地设置,并且具有比阻挡层(11b)及n型导波层(14)的禁带宽度大的禁带宽度。
公开日期2011-09-28
申请日期2008-10-31
状态授权
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75425]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位奥普拓能量株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
藤本毅,山田由美,山形友二,等. 半导体激光元件. CN102204040A. 2011-09-28.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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