半导体激光元件
文献类型：专利
| 作者 | 藤本毅; 山田由美; 山形友二; 齐藤刚; 片平学 |
| 发表日期 | 2011-09-28 |
| 专利号 | CN102204040A |
| 著作权人 | 奥普拓能量株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光元件 |
| 英文摘要 | 一种半导体激光元件(1)，具备：活性层(11)；n型载流子阻断层(13)，与活性层(11)邻接地设置，并且具有大于等于阻挡层(11b)的禁带宽度的禁带宽度；n型导波层(14)，相对于n型载流子阻断层(13)，在与活性层(11)相反侧，与n型载流子阻断层(13)邻接地设置；n型金属包层(15)，相对于n型导波层(14)，在与活性层(11)相反侧，与n型导波层(14)邻接地设置，并且具有比n型导波层(14)的禁带宽度大的禁带宽度；p型金属包层(12)，相对于活性层(11)，在与n型载流子阻断层(13)相反侧，与活性层(11)邻接地设置，并且具有比阻挡层(11b)及n型导波层(14)的禁带宽度大的禁带宽度。 |
| 公开日期 | 2011-09-28 |
| 申请日期 | 2008-10-31 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75425]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 奥普拓能量株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 藤本毅,山田由美,山形友二,等. 半导体激光元件. CN102204040A. 2011-09-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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