半导体激光元件
文献类型:专利
作者 | 藤本毅; 山田由美; 山形友二; 齐藤刚; 片平学 |
发表日期 | 2011-09-28 |
专利号 | CN102204040A |
著作权人 | 奥普拓能量株式会社 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 半导体激光元件 |
英文摘要 | 一种半导体激光元件(1),具备:活性层(11);n型载流子阻断层(13),与活性层(11)邻接地设置,并且具有大于等于阻挡层(11b)的禁带宽度的禁带宽度;n型导波层(14),相对于n型载流子阻断层(13),在与活性层(11)相反侧,与n型载流子阻断层(13)邻接地设置;n型金属包层(15),相对于n型导波层(14),在与活性层(11)相反侧,与n型导波层(14)邻接地设置,并且具有比n型导波层(14)的禁带宽度大的禁带宽度;p型金属包层(12),相对于活性层(11),在与n型载流子阻断层(13)相反侧,与活性层(11)邻接地设置,并且具有比阻挡层(11b)及n型导波层(14)的禁带宽度大的禁带宽度。 |
公开日期 | 2011-09-28 |
申请日期 | 2008-10-31 |
状态 | 授权 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75425] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 奥普拓能量株式会社 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 藤本毅,山田由美,山形友二,等. 半导体激光元件. CN102204040A. 2011-09-28. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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