半导体激光元件及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 藤本康弘; 高山彻; 村泽智; 中山久志; 木户口勋 |
| 发表日期 | 2007-10-03 |
| 专利号 | CN101047301A |
| 著作权人 | 松下电器产业株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光元件及其制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种半导体激光元件及其制造方法。半导体激光元件，在半导体衬底(101)上具有从距半导体衬底(101)较近的一侧依次层叠第一包覆层(103)、活性层(104)及第二包覆层(105)而成的叠层结构。第一包覆层(103)及第二包覆层(105)中的至少一个，对半导体衬底(101)具有压缩应变，并且第一包覆层(103)及第二包覆层(105)中的至少一个，包含对半导体衬底(101)具有拉伸应变的半导体层(106)。因此，能够提供一种具有能够提高元件可靠性的结构的半导体激光元件。 |
| 公开日期 | 2007-10-03 |
| 申请日期 | 2007-03-14 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75431]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下电器产业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 藤本康弘,高山彻,村泽智,等. 半导体激光元件及其制造方法. CN101047301A. 2007-10-03. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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