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半导体激光装置

文献类型:专利

作者谷川巧; 清水源; 三桥大树
发表日期2011-04-06
专利号CN102005698A
著作权人三洋电机株式会社
国家中国
文献子类发明申请
其他题名半导体激光装置
英文摘要本发明提供一种能够抑制半导体激光元件的大型化,并且抑制发光部间隔变大,提高生产率的半导体激光装置。该半导体激光装置具备:第一半导体激光元件;第二半导体激光元件,其是单片型的多波长半导体激光元件。第二半导体激光元件包括半导体基板,第二半导体激光元件的半导体基板的侧面中的与第一半导体激光元件相对置的侧面相对于半导体基板的主面的法线方向倾斜成随着离开搭载部件而与第一半导体激光元件的距离变大。
公开日期2011-04-06
申请日期2010-08-26
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75448]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位三洋电机株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
谷川巧,清水源,三桥大树. 半导体激光装置. CN102005698A. 2011-04-06.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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