一种基于各向异性衬底的半导体激光器
文献类型：专利
| 作者 | 刘兴胜 ; 蔡万绍; 陶春华; 邢卓; 宋涛
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| 发表日期 | 2016-07-20 |
| 专利号 | CN105790062A |
| 著作权人 | 西安炬光科技股份有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种基于各向异性衬底的半导体激光器 |
| 英文摘要 | 本发明提出一种新的半导体激光器结构，主要对芯片衬底进行了改进，解决了现有传导冷却半导体激光器封装结构热传导效率较低、封装工艺较复杂的问题。一种基于各向异性衬底的半导体激光器，包括激光器芯片、衬底和散热器，激光器芯片键合于衬底的正面或背面，衬底底部直接通过焊料键合到散热器上，满足CTE匹配；所述衬底是由绝缘材料和导电材料共同构成的复合体，绝缘材料和导电材料在复合体中的布局使得：所述复合体中对应于激光器芯片的键合区域，从衬底正面到衬底背面表现为导电联通；所述键合区域与衬底底部表现为相互绝缘。 |
| 公开日期 | 2016-07-20 |
| 申请日期 | 2016-03-22 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75460]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 西安炬光科技股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘兴胜,蔡万绍,陶春华,等. 一种基于各向异性衬底的半导体激光器. CN105790062A. 2016-07-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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