一种808nm激发、Li+掺杂KGdF4:Nd3+纳米发光材料及其制备方法
文献类型:专利
作者 | 王友法; 罗蕾; 戴红莲 |
发表日期 | 2017-07-25 |
专利号 | CN106978179A |
著作权人 | 武汉理工大学 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 一种808nm激发、Li+掺杂KGdF4:Nd3+纳米发光材料及其制备方法 |
英文摘要 | 本发明公开了一种808nm、Li+掺杂KGdF4:Nd3+纳米发光材料,其化学式为:K1‑xLixGdF4:Nd3+,0≤x≤100%。本发明通过油酸盐路径法制备得到不同浓度Li+掺杂KGdF4:Nd3+纳米发光材料,该材料具有高度分散、大小均一、物相纯度高等优点,整个制备工艺简单易操作,大大降低了多色发光材料的制备成本,并且制备过程绿色环保,特别适合批量生产。该材料表面包裹有一层油酸,与乙醇有较高亲和力,利于分散和进一步表面改性,在808nm半导体激光器的激励下显著增强了Nd3+的发光强度,使其在固体激光器、太阳能电池、红外辐射探测和生物医学成像等领域具有较大的潜在应用价值。 |
公开日期 | 2017-07-25 |
申请日期 | 2017-03-31 |
状态 | 授权 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75462] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 武汉理工大学 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 王友法,罗蕾,戴红莲. 一种808nm激发、Li+掺杂KGdF4:Nd3+纳米发光材料及其制备方法. CN106978179A. 2017-07-25. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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