半导体激光器及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 小林隆二 |
| 发表日期 | 2009-02-04 |
| 专利号 | CN100459332C |
| 著作权人 | 日本电气株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半导体激光器及其制造方法 |
| 英文摘要 | 目的在于实现一种在利用选择MOVPE生长制造的半导体激光器中，抑制在宽幅部生长的再结合部的晶格弛豫，抑制漏电流，高可靠性的半导体激光器。利用选择MOVPE生长制造半导体激光器时，通过作为氧化硅掩模13的间隙的窄幅部14上外延生长的DH台面带6的平均应变量在不会引起晶格弛豫的范围内向压缩应变侧移动，降低在宽幅部15生长的再结合层16的拉伸压缩。 |
| 公开日期 | 2009-02-04 |
| 申请日期 | 2004-11-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75472]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本电气株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小林隆二. 半导体激光器及其制造方法. CN100459332C. 2009-02-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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