一种大功率量子阱半导体激光器外延片结构
文献类型：专利
| 作者 | 潘旭; 张露; 吴波; 张小宾; 杨翠柏 |
| 发表日期 | 2016-06-01 |
| 专利号 | CN105633797A |
| 著作权人 | 中山德华芯片技术有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种大功率量子阱半导体激光器外延片结构 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种大功率量子阱半导体激光器外延片结构，包括有n-GaAs衬底，在n-GaAs衬底上由下至上依次外延生长n-GaAs缓冲层、n-AlxGa1-xAs组分渐变层、n-AlxGa1-xAs下限制层、AlxGa1-xAs下波导层、AlxGa1-xAs下势垒层、量子阱有源层、AlxGa1-xAs上势垒层、AlxGa1-xAs上波导层、p-AlxGa1-xAs上限制层、p-AlxGa1-xAs组分渐变层、p-GaAs顶层；AlxGa1-xAs上波导层的厚度小于AlxGa1-xAs下波导层的厚度，量子阱有源层中包含一个AlxGa1-xAs双势垒阻挡层，p-AlxGa1-xAs上限制层、p-AlxGa1-xAs组分渐变层、p-GaAs顶层中的掺杂剂为四溴化碳或者四氯化碳。本发明可以降低激光器激射波长线宽，减少电子散失，提高有源区内电子与空穴的辐射复合效率。 |
| 公开日期 | 2016-06-01 |
| 申请日期 | 2016-03-22 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75486]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中山德华芯片技术有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 潘旭,张露,吴波,等. 一种大功率量子阱半导体激光器外延片结构. CN105633797A. 2016-06-01. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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