半导体激光器装置及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 鹿岛孝之; 牧田幸治; 吉川兼司 |
| 发表日期 | 2009-03-25 |
| 专利号 | CN101394066A |
| 著作权人 | 松下电器产业株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光器装置及其制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种高输出功率、低成本的单片式双波长或其以上的多波长的激光器装置。半导体激光器装置，具备第1半导体激光器元件(12)和第2半导体激光器元件(13)。第1半导体激光器元件(12)，具有作为形成在端面附近的包含第1杂质的区域的第1端面窗构造(41)；第2半导体激光器元件，具有作为形成在端面附近的包含第2杂质的区域的第2端面窗构造(42)。从第1活性层(23)的下端到第1端面窗构造(41)的下端的距离，比从第2活性层(33)的下端到第2端面窗构造(42)的下端的距离短。 |
| 公开日期 | 2009-03-25 |
| 申请日期 | 2008-09-19 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75500]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下电器产业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 鹿岛孝之,牧田幸治,吉川兼司. 半导体激光器装置及其制造方法. CN101394066A. 2009-03-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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