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半导体激光器装置及其制造方法

文献类型:专利

作者鹿岛孝之; 牧田幸治; 吉川兼司
发表日期2009-03-25
专利号CN101394066A
著作权人松下电器产业株式会社
国家中国
文献子类发明申请
其他题名半导体激光器装置及其制造方法
英文摘要本发明提供一种高输出功率、低成本的单片式双波长或其以上的多波长的激光器装置。半导体激光器装置,具备第1半导体激光器元件(12)和第2半导体激光器元件(13)。第1半导体激光器元件(12),具有作为形成在端面附近的包含第1杂质的区域的第1端面窗构造(41);第2半导体激光器元件,具有作为形成在端面附近的包含第2杂质的区域的第2端面窗构造(42)。从第1活性层(23)的下端到第1端面窗构造(41)的下端的距离,比从第2活性层(33)的下端到第2端面窗构造(42)的下端的距离短。
公开日期2009-03-25
申请日期2008-09-19
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75500]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位松下电器产业株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
鹿岛孝之,牧田幸治,吉川兼司. 半导体激光器装置及其制造方法. CN101394066A. 2009-03-25.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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