半导体激光装置的制造方法、半导体激光装置及光装置
文献类型：专利
| 作者 | 清水源; 秋吉新一郎; 三桥大树 |
| 发表日期 | 2012-03-21 |
| 专利号 | CN102386559A |
| 著作权人 | 三洋电机株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光装置的制造方法、半导体激光装置及光装置 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种半导体激光装置的制造方法、半导体激光装置及光装置。所述半导体激光装置的制造方法包括：在第一电极上形成第一焊料层的工序；在第二电极上隔着阻挡层而形成具有第二熔点的第二焊料层的工序；使具有第一熔点的第一焊料层与第一电极反应而形成具有比第二熔点高的第三熔点的反应焊料层，且经由反应焊料层而在基台上接合第一半导体激光元件的工序；在接合第一半导体激光元件的工序后，使具有第二熔点的第二焊料层熔解而接合第二半导体激光元件的工序。 |
| 公开日期 | 2012-03-21 |
| 申请日期 | 2011-07-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75506]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋电机株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 清水源,秋吉新一郎,三桥大树. 半导体激光装置的制造方法、半导体激光装置及光装置. CN102386559A. 2012-03-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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