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半导体激光器及其制造方法

文献类型:专利

作者松谷弘康; 佐藤圭
发表日期2013-07-31
专利号CN103227418A
著作权人索尼公司
国家中国
文献子类发明申请
其他题名半导体激光器及其制造方法
英文摘要本发明涉及半导体激光器及其制造方法。该半导体激光器包括:半导体层,包括有源层和脊部,所述脊部面对有源层的电流注入区域;以及嵌入膜,覆盖脊部侧面和半导体层的顶面;其中,嵌入膜从脊部和半导体层侧开始依次包括由硅氧化膜构成的第一层、由具有比有源层低的折射率并具有高于化学计量比的硅含量的硅化合物制成的第二层、以及由无机绝缘材料制成的第三层。
公开日期2013-07-31
申请日期2013-01-18
状态授权
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75510]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位索尼公司
推荐引用方式
GB/T 7714
松谷弘康,佐藤圭. 半导体激光器及其制造方法. CN103227418A. 2013-07-31.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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