半导体激光器及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 松谷弘康; 佐藤圭 |
| 发表日期 | 2013-07-31 |
| 专利号 | CN103227418A |
| 著作权人 | 索尼公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光器及其制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明涉及半导体激光器及其制造方法。该半导体激光器包括：半导体层，包括有源层和脊部，所述脊部面对有源层的电流注入区域；以及嵌入膜，覆盖脊部侧面和半导体层的顶面；其中，嵌入膜从脊部和半导体层侧开始依次包括由硅氧化膜构成的第一层、由具有比有源层低的折射率并具有高于化学计量比的硅含量的硅化合物制成的第二层、以及由无机绝缘材料制成的第三层。 |
| 公开日期 | 2013-07-31 |
| 申请日期 | 2013-01-18 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75510]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 索尼公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 松谷弘康,佐藤圭. 半导体激光器及其制造方法. CN103227418A. 2013-07-31. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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