半導体レーザおよびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 森 義弘; 大仲 清司 |
| 发表日期 | 1993-11-12 |
| 专利号 | JP1993299763A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 高い光出力まで基本モード発振を維持するとともに、サージ耐圧を向上させる。 【構成】 中央部にストライプ状に延在する凸部を持つp型クラッド層104と、その凸部上に形成された障壁低減層108と、障壁低減層108の端部とp型クラッド層104を覆うように形成された電流阻止層106と、これらを覆う導電層109,110を備え、導電層109と障壁低減層108の接する幅を障壁低減層108の幅より狭くして、電流が中央に集まる様にすることにより基本モードが高い電流値まで維持されるようにする。また、1次モードの伝搬損失が大きく、このモードに移った時に一旦光出力が低下するので、瞬時光学損傷の起きる光出力に達する電流値が大きくなり、サージに強くなる。 |
| 公开日期 | 1993-11-12 |
| 申请日期 | 1992-04-23 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75522]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 森 義弘,大仲 清司. 半導体レーザおよびその製造方法. JP1993299763A. 1993-11-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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