Photosemiconductor device
文献类型：专利
| 作者 | AKITA KENZOU; NISHITANI YOSHIMITSU; KOTANI TAKESHI |
| 发表日期 | 1977-03-04 |
| 专利号 | JP1977029186A |
| 著作权人 | FUJITSU LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | Photosemiconductor device |
| 英文摘要 | PURPOSE:To adjust lattice constants of each crystalline layers and to reduce internal stress between the layers by forming InGaAs layer and subsequently clas layer on the substrate of GaAs and further by forming GaAs-CaA1As layer containing on In and the layer containing In alternatively on the clad layer. |
| 公开日期 | 1977-03-04 |
| 申请日期 | 1975-08-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75526]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJITSU LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | AKITA KENZOU,NISHITANI YOSHIMITSU,KOTANI TAKESHI. Photosemiconductor device. JP1977029186A. 1977-03-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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