半導体素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 角田 篤勇; 菅原 章義 |
| 发表日期 | 2003-01-31 |
| 专利号 | JP3394191B2 |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 針状結晶の成長を抑制する結晶成長方法を提供することを課題とする。 【解決手段】 選択的にAl2O3膜が形成された半導体基板上に、MBE法を用いてGaAs層を再成長させる際、V/IIIフラックス比を、成長結晶がGaリッチとなるV/IIIフラックス比の上限値の3倍以上に設定してなるものである。 |
| 公开日期 | 2003-04-07 |
| 申请日期 | 1998-08-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75541]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 角田 篤勇,菅原 章義. 半導体素子の製造方法. JP3394191B2. 2003-01-31. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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