半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 木村 壮一 |
| 发表日期 | 1993-03-19 |
| 专利号 | JP1993067849A |
| 著作权人 | 松下電子工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 優れた特性を有し、再現性が良く高い歩留りと生産性を得る。 【構成】 メサストライプ13が形成されたP型InP基板1上に、第1のエピタキシャル成長によりN型InPブロック層2とP型InPバッファ層3とInGaAsP活性層4とN型InPクラッド層5を積層し、InGaAsP活性層4とN型InPクラッド層5を選択的に除去し、第2のエピタキシャル成長によりP型InP埋め込み層6とN型InP電流阻止層7とP型InP電流阻止層8とN型InP埋め込み層9を成長させ、最後にN側電極10とP側電極11を形成している。N型InPブロック層2とP型InP埋め込み層6とN型InP電流阻止層7とP型InP電流阻止層8は、二相融液法で選択的に成長できるため厳密に過飽和度を制御する必要がない。電流阻止領域14はInGaAsP活性層4を含めたPNPQN構造の高いON電圧のサイリスタを有する。 |
| 公开日期 | 1993-03-19 |
| 申请日期 | 1991-09-06 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75552]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電子工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 木村 壮一. 半導体発光素子. JP1993067849A. 1993-03-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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