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光半導体装置

文献类型:专利

作者山田 光志; 中村 幸治; 大柴 小枝子; 堀川 英明
发表日期1999-09-24
专利号JP1999261168A
著作权人沖電気工業株式会社
国家日本
文献子类发明申请
其他题名光半導体装置
英文摘要【課題】 光導波層部分の界面で発生する迷光の影響による種々の弊害の低減を図ることを目的とする。 【解決手段】 光導波路12の光の出射端面を規定する一つの導波層部分12b12cまたは12dの光の案内方向に沿った長さ寸法Zpが次式を満足するように設定する。 Zp>(dc+Q)/φここで、dcは出射端面から出射される光についての最大結合半径であり、Qは出射端面を規定する導波層部分の他端で生じる迷光の正規化された誤差関数から求められる偏差であり、φは光導波路に沿って案内される導波光に対する迷光の進行角度である。
公开日期1999-09-24
申请日期1998-03-11
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75561]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位沖電気工業株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
山田 光志,中村 幸治,大柴 小枝子,等. 光半導体装置. JP1999261168A. 1999-09-24.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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