半導体素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 木戸口 勲; 宮永 良子; 菅原 岳; 鈴木 政勝; 粂 雅博; 伴 雄三郎 |
| 发表日期 | 2000-11-30 |
| 专利号 | JP2000332357A |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 GaN系半導体レーザのリッジストライプ形成工程をより簡便なものとする。 【解決手段】 基板上に窒化物半導体から成るダブルヘテロ構造を積層した後、レジストマスクを用いてリッジストライプパターンを形成し、Si3N4などの誘電体膜を電子サイクロトロン共鳴プラズマとSiターゲットおよび窒素ガスによって堆積し、しかる後にリフトオフによってリッジ上のレジストおよびSi3N4を除去する。 |
| 公开日期 | 2000-11-30 |
| 申请日期 | 1999-05-20 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75568]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 木戸口 勲,宮永 良子,菅原 岳,等. 半導体素子の製造方法. JP2000332357A. 2000-11-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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