半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | ▲吉▼田 隆; 斉藤 芳人 |
| 发表日期 | 1993-11-12 |
| 专利号 | JP1993299778A |
| 著作权人 | 沖電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 本発明は高集積化が図れ、かつ各レーザダイオードに対して独立にAPCを行なうことができる半導体レーザ装置を提供することを目的とする。 【構成】 本発明の半導体レーザ装置は、InGaAsP活性層5とP-InPクラッド層9,11、n-InPクラッド層8、P-InPブロック層4、n-InPブロック層3、P-InGaAsPキャップ層7から成り、InGaAsP活性層5の片側をモニタ光取り出し面13とする。もう一方には光反射膜12を設けている、モニター光取り出し面13側からの光の取出しを良好にし、同時に光検出領域の受光面での反射を低減するために反射率低減膜2を設けている。 |
| 公开日期 | 1993-11-12 |
| 申请日期 | 1992-04-22 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75580]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 沖電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | ▲吉▼田 隆,斉藤 芳人. 半導体レーザ装置. JP1993299778A. 1993-11-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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