面発光型半導体レーザおよびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 森 克己; 近藤 貴幸 |
| 发表日期 | 1994-10-18 |
| 专利号 | JP1994291413A |
| 著作权人 | セイコーエプソン株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 面発光型半導体レーザおよびその製造方法 |
| 英文摘要 | (修正有) 【目的】 反射ミラーとオーミック電極との間の空間からの光の洩れを防止して高い利得を得ることができる面発光型半導体レーザ、およびこれを高い歩留りで製造する。 【構成】 半導体基板102上に多層の半導体層を形成する行程、そのうちの少なくともクラッド層107をエッチングして柱状に形成する工程、その周囲に埋込み層109を形成する工程、素子表面に第一のマスク層116を形成し、ついでその表面にフォトレジストからなる第2のマスク部117を形成し、その後この第2のマスク部を介して前記第一のマスク層をオーバーエッチングし、前記117より小さい平面状を有する第1のマスク部116aを形成する工程、素子表面にオーミックコンタクトが得られる金属層を形成し、さらに少なくとも117を除去することによって、開口部120を有するオーミック電極118aを形成する工程、および、少なくとも前記120に誘電体多層膜からなる反射ミラー121を形成する工程を含む。 |
| 公开日期 | 1994-10-18 |
| 申请日期 | 1993-03-31 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75593]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | セイコーエプソン株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 森 克己,近藤 貴幸. 面発光型半導体レーザおよびその製造方法. JP1994291413A. 1994-10-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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