Manufacture of semiconductor laser device
文献类型：专利
| 作者 | WATANABE YUKIO; OKAJIMA MASASUE; NISHIKAWA YUKIE |
| 发表日期 | 1991-11-08 |
| 专利号 | JP1991250685A |
| 著作权人 | TOSHIBA CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | Manufacture of semiconductor laser device |
| 英文摘要 | PURPOSE:To form satisfactory refractive index differentials between a concave part and opposite sides thereof by facilitating the thickness control of a concave striped bottom part by providing an InGaP layer in the course of an In0.5(Ga1-xAlx)0.5P cladding layer of an active layer upper part. CONSTITUTION:There are successively formed on a first conductivity type semiconductor substrate 1 a first conductivity type Inz(Ga1-xAlx)1-zP (0 |
| 公开日期 | 1991-11-08 |
| 申请日期 | 1990-02-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75601]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | TOSHIBA CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | WATANABE YUKIO,OKAJIMA MASASUE,NISHIKAWA YUKIE. Manufacture of semiconductor laser device. JP1991250685A. 1991-11-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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