窒化物半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 妹尾 雅之; 山田 孝夫; 中村 修二 |
| 发表日期 | 2004-02-20 |
| 专利号 | JP3523700B2 |
| 著作权人 | 日亜化学工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 窒化物半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 窒化物半導体を用いてレーザ素子を実現するにあたり、まず反射鏡となる適切な光共振面を形成することにより、レーザ発振が可能となるレーザ素子を提供する。 【構成】 基板上に窒化物半導体(InXAlYGa1-X-YN、0≦X、0≦Y、X+Y≦1)が積層されてなるレーザ素子であって、そのレーザ素子の光共振面の少なくとも一方に誘電体多層膜が形成されていることにより、光共振面の反射率を高めレーザ発振させる。 |
| 公开日期 | 2004-04-26 |
| 申请日期 | 1995-01-12 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75604]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日亜化学工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 妹尾 雅之,山田 孝夫,中村 修二. 窒化物半導体レーザ素子. JP3523700B2. 2004-02-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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