半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 小沢 正文; 樋江井 太 |
| 发表日期 | 2003-09-12 |
| 专利号 | JP3470476B2 |
| 著作权人 | ソニー株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 反射率制御膜による光吸収が極めて少なく、したがってこの光吸収による発熱も極めて少ないことにより特性や信頼性が良好なII-VI族化合物半導体を用いた半導体発光素子を提供する。 【解決手段】 少なくとも発光部にII-VI族化合物半導体を用いた半導体発光素子において、少なくとも一層のII-VI族化合物半導体膜を含む反射率制御膜を光出射面に設ける。反射率制御膜は、誘電体膜とII-VI族化合物半導体膜との多層膜または一層のII-VI族化合物半導体膜からなる。II-VI族化合物半導体膜としてはZnSe膜、ZnS膜、CdS膜などを用い、誘電体膜としてはSiO2 膜、Al2 O3 膜、MgO膜、NaF膜、CaF2 膜、MgF2 膜などを用いる。 |
| 公开日期 | 2003-11-25 |
| 申请日期 | 1995-11-02 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75611]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小沢 正文,樋江井 太. 半導体発光素子. JP3470476B2. 2003-09-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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