半導体発光素子およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 屋敷 健一郎; 岩田 普 |
| 发表日期 | 2001-10-19 |
| 专利号 | JP3241326B2 |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】半導体発光素子の漏れ電流を低減し、発振しきい値電流の低下を図ること。 【解決手段】n型半導体基板11上に、n型III-V族半導体からなるIII-Vクラッド層12、III-V族半導体からなるストライプ状の活性層13、p型II-VI族半導体からなるII-VIクラッド層14を形成し、p型II-VIクラッド層14とn型III-Vクラッド層12の間にn型クラッド層のIII族元素が拡散してできたn型の電流阻止層17を形成する。p型II-VIクラッド層と電流阻止層とから構成されるpnヘテロ接合の立ち上がり電圧が活性層13を介したpn接合に比べ非常に大きいため、レーザ発振時の漏れ電流が少ない。 |
| 公开日期 | 2001-12-25 |
| 申请日期 | 1998-08-20 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75613]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 屋敷 健一郎,岩田 普. 半導体発光素子およびその製造方法. JP3241326B2. 2001-10-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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