半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 阿南 隆由 |
| 发表日期 | 1993-10-29 |
| 专利号 | JP1993283743A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 希土類ドープ半導体発光素子において問題となっている低発光効率を改善する。 【構成】 希土類イオンをドーピングする半導体母体として、伝導帯下端と価電子帯上端が互い違いになる半導体超格子、いわゆるタイプII超格子の電子閉じ込め層を用いる。これにより、伝導帯中の電子が、希土類イオンの形成する電子トラップに捕獲され易くなり、大幅に発光強度が増大する。 |
| 公开日期 | 1993-10-29 |
| 申请日期 | 1992-04-03 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75616]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 阿南 隆由. 半導体発光素子. JP1993283743A. 1993-10-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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