半導体レーザ及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 佐々木 善浩 |
| 发表日期 | 1998-11-13 |
| 专利号 | JP1998303499A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】選択成長によって半導体のエッチングなしで光導波路を形成した半導体レーザの電流ブロック層の厚さを十分厚くし、ブロック構造におけるサイリスタの耐圧を向上させ高出力、高温特性の向上を実現する半導体レーザおよびその製造方法の提供。 【解決手段】第一導電型半導体基板上選択成長によって活性層を含む導波路層を直接形成し(図1(b))、活性層直上にのみ成長阻止マスクを形成し第二導電型半導体ブロック層と第一導電型半導体ブロック層の一部を形成し(図1(d))、活性層直上の成長阻止マスクを除去し、第一導電型で組成の異なる半導体からなるエッチングストッパー層及び同じ組成の半導体を連続して全面に積層し(図1(f))、活性層直上にある第一導電型ブロック層とエッチングストッパー層を選択的に除去し第二導電型クラッド層で埋め込む。 |
| 公开日期 | 1998-11-13 |
| 申请日期 | 1997-04-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75633]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 佐々木 善浩. 半導体レーザ及びその製造方法. JP1998303499A. 1998-11-13. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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