半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 内藤 由美; 藤本 毅; 岡田 知 |
| 发表日期 | 2000-02-25 |
| 专利号 | JP2000058969A |
| 著作权人 | 三井化学株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】瞬時光学損傷を抑制し,これまでに実現できなかった高い出力の半導体レーザ素子を得る。 【解決手段】活性層6の両側に活性層よりもバンドギャップの大きいキャリアブロック層5,7,導波層4,8,クラッド層3,10が形成され,少なくとも1つの端面にレーザ光を吸収しない窓構造13を有す半導体レーザ装置。 |
| 公开日期 | 2000-02-25 |
| 申请日期 | 1998-08-04 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75658]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三井化学株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 内藤 由美,藤本 毅,岡田 知. 半導体レーザ装置. JP2000058969A. 2000-02-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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