分布帰還型半導体レーザおよびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 鈴木 尚文 |
| 发表日期 | 1999-03-05 |
| 专利号 | JP2894285B2 |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 分布帰還型半導体レーザおよびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 本発明は、活性層に回折格子を形成しても活性層となる半導体結晶構造に欠陥を引き起こすことがなく、また不透明層を設けることによるエネルギー吸収損失を生じさせることなく、さらに十分な利得を有することを可能とする利得結合型の分布帰還型半導体レーザ装置およびその製造方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 光分布帰還を施す回折格子が誘導放出光を発生させる活性層に設けられた半導体レーザにおいて、該活性層は、光の進行方向に連続する層であり、利得特性が光の進行方向に周期的に摂動する特性を有し、好ましくはマスク幅および/または開口幅が回折格子の周期に対応して変化するマスクを用いた選択成長によって形成されたことを特徴とする半導体レーザ。 |
| 公开日期 | 1999-05-24 |
| 申请日期 | 1996-07-03 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75667]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 鈴木 尚文. 分布帰還型半導体レーザおよびその製造方法. JP2894285B2. 1999-03-05. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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