半導体レーザ素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 常包 正樹 |
| 发表日期 | 1994-04-15 |
| 专利号 | JP1994104522A |
| 著作权人 | NEC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】高出力動作可能な半導体レーザ素子を歩留り良く製造する。 【構成】量子井戸を活性層とする半導体レーザ素子の発光点を含む相対する共振器面にSiを含有する誘電体膜を形成した後、800℃以上の高温に保持して、Siを含有する誘電体膜より拡散したSiによって発光点を含む端面近傍の量子井戸を無秩序化し、無秩序化された端面近傍の活性層が、無秩序化していないレーザ素子の端面近傍を除く中央部の活性層に比べ実効的に大きなバンドギャップを有する半導体レーザ素子を製造する。 |
| 公开日期 | 1994-04-15 |
| 申请日期 | 1991-01-08 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75670]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NEC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 常包 正樹. 半導体レーザ素子の製造方法. JP1994104522A. 1994-04-15. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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