半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 斎 藤 真 司; 藤 本 英 俊 |
| 发表日期 | 2000-01-28 |
| 专利号 | JP2000031591A |
| 著作权人 | 株式会社東芝 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 光のしみ出しを防止することにより電気特性や光学特性を改善するとともに、サファイアなどの基板上に良質な混晶層を成長させ、高性能の半導体発光素子を提供することを目的とする。 【解決手段】 基板側のクラッド層をAlGaN/GaNなどの超格子とし、かつそれより基板側にはGaNなどの高屈折率材料を設けず、電流の活性層への注入を電極下の乱雑層と超格子にした2次元電子ガスによる横輸送とで行うことにより解決する。さらに、基板上に成長される窒化物半導体の層構造全体を薄膜の積層構造とすることにより、格子不整に起因する歪は緩和され、結晶欠陥を生ずることなく、比較的厚い混晶膜を形成することができる。 |
| 公开日期 | 2000-01-28 |
| 申请日期 | 1998-07-08 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75678]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 斎 藤 真 司,藤 本 英 俊. 半導体発光素子. JP2000031591A. 2000-01-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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