半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 濱崎 浩史; 古山 英人 |
| 发表日期 | 2001-01-19 |
| 专利号 | JP2001015849A |
| 著作权人 | 株式会社東芝 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | (修正有) 【課題】 小型で他の受信用フォトダイオードなどとも集積化可能な受光効率の高い半導体レーザ装置を提供する。 【解決手段】 半導体レーザ素子1を実装するサブマウント2の半透膜ミラー25を形成する斜面上にpin型のフォトダイオードを形成し、かつ、i層22を斜面表面上に形成することで、光ビームが拡散層24を透過せずに受光領域(i層)に入力するようにして上記課題を解決する。 |
| 公开日期 | 2001-01-19 |
| 申请日期 | 1999-06-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75680]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 濱崎 浩史,古山 英人. 半導体レーザ装置. JP2001015849A. 2001-01-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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