半導体レーザ及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 保科 順一; 大仲 清司 |
| 发表日期 | 1994-02-10 |
| 专利号 | JP1994037390A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 安定な横モード制御型の高出力半導体レーザ素子を提供する。 【構成】 単一横モード制御型半導体レーザ用結晶構造において、第二クラッド層6のリッジ部側面に第二クラッド層6と同じ材料で構成された高抵抗領域6aを有するレーザ素子構造とする。 |
| 公开日期 | 1994-02-10 |
| 申请日期 | 1992-07-16 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75696]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 保科 順一,大仲 清司. 半導体レーザ及びその製造方法. JP1994037390A. 1994-02-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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