半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 熊渕 康仁; 足立 秀人; 木戸口 勲 |
| 发表日期 | 1997-09-19 |
| 专利号 | JP1997246662A |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】 安定な自励発振特性を有し信頼性の高い半導体レーザを提供する。 【解決手段】 n型GaAs基板101と、活性層104と、活性層104を挟む一対のクラッド層103、105を備えた半導体レーザである。さらに、共振器方向には、発光領域と可飽和吸収領域があり、可飽和吸収領域には、活性層と同時の成長により形成された可飽和吸収層104sがある。可飽和吸収層104sはp型ドーパントが高濃度にドープされていることにより、光吸収によるキャリア寿命を低減化し、安定した自励発振特性が得られる。、その結果、広い温度範囲に渡り相対雑音強度の低い半導体レーザを実現できる。 |
| 公开日期 | 1997-09-19 |
| 申请日期 | 1996-03-08 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75712]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 熊渕 康仁,足立 秀人,木戸口 勲. 半導体レーザ. JP1997246662A. 1997-09-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。