半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 辰巳 正毅; 松本 晃広 |
| 发表日期 | 1998-05-22 |
| 专利号 | JP1998135567A |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 半導体レーザ素子において、従来使用されているII族元素であるMg、Zn、Beなどのp型ドーパントでは、拡散係数が大きいため高濃度ドーピングができないという問題があった。なぜなら、活性層まで拡散が起こると、活性層内部に非発光センターを形成するために、発光効率が低下し、信頼性に対して悪影響を及ぼし、また、コンタクト層からの拡散によるキャリア濃度の低下で動作電圧増大の問題を生じる。また、p型ドーパントとして拡散係数が小さいカーボンは、拡散効率を上げるため低温で成長させる必要があるが、その場合に半導体に結晶欠陥が生じるため、非発光センターを形成する問題があった。 【解決手段】 本発明では、第2導電型のコンタクト層108のドーパントはカーボンであり、前記第2導電型のクラッド層106、107のドーパントはII族元素とした半導体レーザー素子を提供することによって、低動作電圧で駆動でき、電流光特性の良好な半導体レーザ素子を提供する。 |
| 公开日期 | 1998-05-22 |
| 申请日期 | 1996-11-01 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75716]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 辰巳 正毅,松本 晃広. 半導体レーザ素子. JP1998135567A. 1998-05-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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