半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 田中 俊明; 矢野 振一郎 |
| 发表日期 | 1994-04-08 |
| 专利号 | JP1994097572A |
| 著作权人 | 株式会社日立製作所 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | (修正有) 【目的】II-VI族半導体レーザの特性、特に閾値電流の低減,室温連続発振及び高温動作を図って改善する。 【構成】(100)面n型ZnSe基板1の上にClドープn型ZnSe光導波層2,Clドープn型ZnSzSe1-z歪導波層3,アンドープCdxZn1-xSe/ZnSz1Se1-z1多重量子構造活性層10(アンドープCdxZn1-xSe量子井戸層4層及びZnSz1Se1-z1量子障壁層4層),Nドープp型ZnSe光導波層5,Clドープn型ZnSe電流狭窄層6を順次分子線エピタキシー(MBE)法によりエピタキシャル成長させ、ホトリソグラフィ技術とエッチングにより、層6から層5に到るストライプ状メサを形成する。ホトレジストを除去して、MBE法によりNドープp型ZnSeコンタクト層7を埋込成長させ、p側電極AuZn及びn側電極Inを蒸着し、劈開スクライブして素子を作製する。 |
| 公开日期 | 1994-04-08 |
| 申请日期 | 1992-09-14 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75722]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社日立製作所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 田中 俊明,矢野 振一郎. 半導体レーザ素子. JP1994097572A. 1994-04-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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