半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 高橋 孝志 |
| 发表日期 | 2008-02-22 |
| 专利号 | JP4084492B2 |
| 著作权人 | 株式会社リコー |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 多重量子障壁層に歪を加えることなく、キャリアの注入を均一化することが可能であって、また、多重量子障壁層に歪を加えることなく、正孔の閉じ込め障壁高さを増加させることの可能な温度特性の良好な半導体レーザ素子を提供する。 【解決手段】 本発明の半導体レーザ素子は、n型の半導体基板101上に、少なくとも、n型クラッド層103,活性層104,p型クラッド層106が積層されたものであって、p型クラッド層106と活性層104との間に、異なる種類の半導体材料からなる井戸層と障壁層を積層したp型多重量子障壁層105が設けられており、p型多重量子障壁層105の井戸層は、V族元素として窒素(N)を含むIII-V族混晶半導体からなっている。 |
| 公开日期 | 2008-04-30 |
| 申请日期 | 1999-03-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75726]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社リコー |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 高橋 孝志. 半導体レーザ素子. JP4084492B2. 2008-02-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。