半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 駒崎 岩男 |
| 发表日期 | 1993-09-03 |
| 专利号 | JP1993226763A |
| 著作权人 | OLYMPUS OPTICAL CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【目的】本発明は、しきい値電流の増大の回避、高出力,高効率,高集積化を実現し得ることを主要な目的とする。 【構成】半絶縁性基板,第1クラッド層,活性層,メサ状第2クラッド層,キャップ層,前記第2クラッド層の両側に設けられ電流狭窄機能と光閉込め機能を有する光吸収層,前記第2クラッド層の界面に沿うように形成された第1電気的分離領域とを具備するレ-ザと、光検出器と、前記レ-ザ,光検出器とを分離し、前記基板主面に対して垂直な端面及び45度の端面からなるV字型溝の露出面に前記基板に達するように形成された第2電気的分離領域とを具備する分離領域とを特徴とする半導体レ-ザ装置。 |
| 公开日期 | 1993-09-03 |
| 申请日期 | 1991-04-01 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75740]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | OLYMPUS OPTICAL CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 駒崎 岩男. 半導体レーザ装置. JP1993226763A. 1993-09-03. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。