半導体レーザー装置
文献类型：专利
| 作者 | 粂 雅博; 伴 雄三郎; 原 義博; 石橋 明彦; 上村 信行; 長谷川 義晃 |
| 发表日期 | 1998-01-27 |
| 专利号 | JP1998027940A |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザー装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 動作電圧が低く、活性層に平行方向のレーザー光が屈折率分布で閉じ込められて、単一モードで連続発振する低しきい値の半導体レーザー装置を実現する。 【解決手段】 MOVPE法を用い、まずp型SiC基板302上に、p型AlNバッファー層303からn型AlGaNクラッド層306までの各層を結晶成長する。次に結晶成長後SiO2膜311をCVD法により全面に堆積し、ホトリソグラフィとエッチングによりストライプ状のリッジ310を形成する。再びMOVPE法により、絶縁層307を成長する。この時、SiO2膜上には結晶成長せずにリッジの両側のみを絶縁層で埋めることが出来る。最後に、SiO2膜をエッチングで除去した後もう一度MOVPE法によりn型GaNコンタクト層308を結晶成長し、n側電極309とp型基板側電極301を蒸着して半導体レーザーが完成する。p型SiC基板を用いて、基板と反対側のn側の電極を形成する半導体層をn型とすることにより、接触抵抗を小さくでき、動作電流の低減が図れる。 |
| 公开日期 | 1998-01-27 |
| 申请日期 | 1996-07-12 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75746]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 粂 雅博,伴 雄三郎,原 義博,等. 半導体レーザー装置. JP1998027940A. 1998-01-27. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。