半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 柳澤 浩徳; 田中 俊明 |
| 发表日期 | 1995-06-23 |
| 专利号 | JP1995162087A |
| 著作权人 | 株式会社日立製作所 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | (修正有) 【目的】490nm帯から530nm帯の波長領域で室温連続発振を容易にするとともに高温動作が可能な半導体レーザ素子を得る。 【構成】光ガイド層5に隣接してクラッド層7より禁制帯幅の大きいMgZnSSe 層6を設け、クラッド層にはMgZnSSe層より高濃度ドーピングが可能なZnSSe を用いる。さらに、MgZnSSe層を禁制帯幅が段階的に変化する複数の層から構成し、n型クラッド層2側及びp型クラッド層7側両層に設ける。 【効果】キャリア閉じ込め層により電子に対する実効的なヘテロ障壁が向上し、電子の活性層への閉じ込めが格段に向上したため、室温及びさらに高温での連続発振が安定に得られるようになった。 |
| 公开日期 | 1995-06-23 |
| 申请日期 | 1993-12-10 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75764]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社日立製作所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 柳澤 浩徳,田中 俊明. 半導体レーザ素子. JP1995162087A. 1995-06-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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