半導体レーザ及び半導体レーザの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 橋本 順一 |
| 发表日期 | 1999-12-24 |
| 专利号 | JP1999354884A |
| 著作权人 | 住友電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ及び半導体レーザの製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 所望のエネルギーバンドギャップを有する光閉じ込め層を容易に構成することが可能な半導体レーザを提供する。 【解決手段】半導体レーザ10は、GaAs半導体基板12上に、n型GaInP下部クラッド層14、下部光閉じ込め層16、GaInAs活性層18、上部光閉じ込め層20、p型GaInP第1上部クラッド層22を順次積層して形成される。第1上部クラッド層22の上面には、電流阻止層24に挟まれたガイド層26及び第2上部クラッド層28が順次積層され、電流阻止層24と第2上部クラッド層28の上面にはコンタクト層30が設けられている。コンタクト層30の上面には上面電極32が、半導体基板12の下面には下面電極34が形成されている。下部光閉じ込め層16と上部光閉じ込め層20はそれぞれ、GaInAsP量子井戸層36とGaInP障壁層38とを交互に積層した超格子構造となっている。 |
| 公开日期 | 1999-12-24 |
| 申请日期 | 1998-06-08 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75776]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 住友電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 橋本 順一. 半導体レーザ及び半導体レーザの製造方法. JP1999354884A. 1999-12-24. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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