半導体発光装置
文献类型：专利
| 作者 | 浅野 英樹; 和田 貢; 秋永 富士夫; 山中 英生; 大郷 毅; 笹尾 正典 |
| 发表日期 | 2001-01-26 |
| 专利号 | JP2001024271A |
| 著作权人 | 富士写真フイルム株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 ストライプ構造を有する半導体発光装置において、高出力を得、かつ信頼性を向上させる【解決手段】 光取り出し用の窓7を備えたパッケージ8に、半導体レーザ素子1をサーミスタを備えたヒートシンク2にハンダ付けし、ヒートシンク2を熱電素子3にハンダ6によりハンダ付けする。半導体レーザ素子1は、n-GaAs基板21上に、クラッド層22、光ガイド層23、InGaAsP引っ張り歪み障壁層24、InGaAsP量子井戸活性層25、InGaAsP引っ張り歪み障壁層26、光ガイド層27、クラッド層28、キャップ層29が順次積層されてなり、障壁層とGaAs基板の格子不整合度を-0.7%とし、活性層を挟んでいる2つの引っ張り歪み障壁層24、26と2つの光ガイド層23、27の合計の厚さを0.7μmとし、光出射端面に20%、反対側端面に90%の反射膜を形成する。 |
| 公开日期 | 2001-01-26 |
| 申请日期 | 1999-07-07 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75780]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士写真フイルム株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 浅野 英樹,和田 貢,秋永 富士夫,等. 半導体発光装置. JP2001024271A. 2001-01-26. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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