窒化物半導体素子
文献类型：专利
| 作者 | 長濱 慎一; 中村 修二 |
| 发表日期 | 2006-09-22 |
| 专利号 | JP3857417B2 |
| 著作权人 | 日亜化学工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 窒化物半導体素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 主として青色〜緑色領域のレーザ素子を実現すると共に、レーザ素子の高出力化を実現する。 【構成】 n層とp層との間に、Inを含む窒化物半導体からなる井戸層を有する活性層を備えた窒化物半導体素子において、n層、若しくはp層の少なくとも一方に、井戸層のIn量よりも少ないIn量の窒化物半導体層を有する超格子層を備える活性層を成長させることにより、超格子層の上に成長させる活性層、クラッド層の結晶性が良くなり長波長の素子を得ることができる。また、超格子はn層、p層両方に設け、超格子に不純物を変調ドープすることが望ましい。 |
| 公开日期 | 2006-12-13 |
| 申请日期 | 1998-05-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75784]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日亜化学工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 長濱 慎一,中村 修二. 窒化物半導体素子. JP3857417B2. 2006-09-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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