半導体レーザの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 小林 俊雅 |
| 发表日期 | 1998-05-29 |
| 专利号 | JP1998144989A |
| 著作权人 | ソニー株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザの製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 レーザ光の前方出力側を示すマークを形成することによりレーザ光の前方出力方向を1方向に特定することができる半導体レーザの製造方法を提供する。 【解決手段】 オフ角基板の上に複数の結晶層を成長させたのち上面および底面に電極をそれぞれ形成する。上面の電極17aはストライプ14aの延長方向に向かって矢印形とし、矢印により示したほうをレーザ光の前方出力側と設定する。この矢印により示した端面10aにレーザ光の前方出力を制御する反射率制御膜18aを形成し、反対側の端面10bにレーザ光の後方出力を制御する反射率制御膜18bを形成する。これにより、半導体レーザ10の前方出力方向が1方向に特定され、2種類の半導体レーザ10が形成されることを回避できる。 |
| 公开日期 | 1998-05-29 |
| 申请日期 | 1996-11-06 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75796]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小林 俊雅. 半導体レーザの製造方法. JP1998144989A. 1998-05-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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