3族窒化物半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 永井 誠二; 山崎 史郎; 小池 正好 |
| 发表日期 | 1998-06-02 |
| 专利号 | JP1998150219A |
| 著作权人 | TOYODA GOSEI CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 3族窒化物半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【課題】p型ガイド層における光の吸収を防止してレーザ出力を向上させること。 【解決手段】InGaN/GaN にて形成される活性層5を、活性層5よりも禁制帯幅の広いp型クラッド層71とストッパ層42で挟み、ストッパ層42の外側をガイド層41、その外側をクラッド層4で形成することにより、キャリアを活性層5に閉じ込め、光を活性層5とストッパ層42とガイド層41に閉じ込めた。この結果、発光波長が380〜430nmのときに光を吸収する層が光の閉じ込めを行う層に存在しないので、光の吸収による損失が無くなりレーザ出力が向上した。 |
| 公开日期 | 1998-06-02 |
| 申请日期 | 1996-11-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75802]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | TOYODA GOSEI CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 永井 誠二,山崎 史郎,小池 正好. 3族窒化物半導体レーザ素子. JP1998150219A. 1998-06-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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