半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 勝見 隆一; 岩瀬 正幸; 菊田 俊夫 |
| 发表日期 | 2001-09-21 |
| 专利号 | JP3234282B2 |
| 著作权人 | 古河電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 放射ビームの断面形状をほぼ真円に近くし、光ファイバとの結合効率を高めることができる量子井戸構造の半導体レーザ素子を提供する。 【構成】 InP基板1のほぼ中央部分に量子井戸層7を形成し、その左右両側に狭窄層8を形成する。量子井戸層7はN型クラッド層2と光閉じ込め層23と活性層24と光閉じ込め層25とP型クラッド層6との積層構造によって構成し、活性層24と光閉じ込め層23,25の厚みの総和を2000Å以下にして、光閉じ込め係数を小さくし、活性層24内に閉じ込められて活性化した光をクラッド層2,6側にしみ出すしみ出し量を大きくして活性層24およびしみ出し部分から放出する垂直方向のビームの広がり角を小さくしてほぼ真円に近いパターンモードのビームを出力させる。 |
| 公开日期 | 2001-12-04 |
| 申请日期 | 1992-06-02 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75847]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 古河電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 勝見 隆一,岩瀬 正幸,菊田 俊夫. 半導体レーザ素子. JP3234282B2. 2001-09-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。